IBM dhe Micron kanė filluar tė prodhojnė ēipat e rinj memorikė tė bazuar nė teknologjinė e IBM e cila do tė duhej tė sigurojė performansa deri 15 herė mė tė mira se ēipat ekzistues.
Teknologjia e re tė cilėt e kanė prezantuar kėto kompani do tė shfrytėzohet pėr prodhimin e ēipave Hybrid Memory Cube tė cilėt komercialisht do ti prodhojė Microni. IBM mėton tė sigurojė logjikėn kontrolluese e cila do tė shfrytėzohet nė ēipa si dhe teknologjinė pėr krijimin e ēipave nė tri dimensione.
Teknologjia e IBM quhet Through-Silicon Via (TSV) dhe nė esencė bėhet fjalė pėr pėrēues vertikalė tė cilėt lidhin nė mėnyrė elektrike shtresat e ēipave individualė. Pėr shkak tė mundėsisė sė renditjes sė ēipave njėri mbi tjetrin, TSV shpesh quhet edhe teknologji 3D.
Duke shfrytėzuar teknologjitė mė tė reja tė Micron pėr prodhimin e ēipave DRAM dhe teknologjinė 3D tė IBM, ėshtė mundėsuar arritja e shpejtėsive deri 15 herė mė tė mėdha se qė mund tė arriheshin me teknologjitė e tashme. Ēipat Hybrid Memory Cube ofrojnė shpejtėsi deri 128 gigabajtė nė sekondė, ndėrsa ēipat mė tė mirė memorikė tė prodhuar me proces klasik ofrojnė shpejtėsi prej 12,8 Gbps. Ēipat e rinj po ashtu shpenzojnė 70 pėr qind mė pak energji pėr bartjen e tė dhėnave, ndėrsa ofrojnė dizajn mė kompakt, gjegjėsisht zėnė vetėm 10 pėr qind tė hapėsirės sė ēipave klasikė me kapacitet tė njėjtė.
Ēipat e parė Hybrid Memory Cube priten nė treg nė gjysmėn e dytė tė vitit tė ardhshėm.